Desde la invención de los circuitos electrónicos integrados, el Silicio ha sido el material de base. Diferentes centros de investigación experimentan actualmente el Grafeno combinado con el Silicio para hacer más pequeños y eficientes dichos circuitos.
En la búsqueda de este mismo objetivo La Escuela Politécnica Federal de Lausana, Suiza, desarrolló el primer circuito integrado fabricado con Molibdenita.
La Molibdenita es un material muy abundante en la naturaleza y químicamente está compuesto de disulfuro de Molibdeno (MoS2) y su estructura atómica consiste en láminas de átomos de Molibdeno contenido entre láminas de átomos de Azufre. El equipo de investigadores de la EPFL decidió buscar la alternativa del Silicio en la Molibdenita y no en Grafeno.
A principios de este año, el profesor Andra Kis quien es integrante del equipo, comentó:
La Molibdenita es un material de dos dimensiones, muy delgado y fácil de usar en nanotecnología. Tiene potencial real en la fabricación de transistores muy pequeños, en LEDs y en células solares.
Tras un año de trabajo los investigadores del Laboratorio de Nanoelectrónica y Nanoestructuras de la EPFL, dieron a conocer que lograron desarrollar el primer circuito integrado en la Molibdenita y que ofrece unos transistores más pequeños y eficientes que los fabricados en Silicio.
El manejo del Silicio por debajo de los 2 nanómetros de espesor no es recomendable, ya que su superficie presenta un proceso de oxidación y deterioro de sus propiedades químicas. Sin embargo la Molibdenita permite hacer circuitos integrados hasta tres veces más pequeños, porque a esta escala este material es muy estable y sus propiedades eléctricas siguen siendo fáciles de controlar.
Con la creación de este circuito, la EPFL abre una puerta muy interesante en el desarrollo y fabricación de circuitos integrados.
Fuente:
http://alt1040.com/
