Almacenamiento - X (Diez) Curiosidades

Memorias SSDs tienen un futuro sombrío

De acuerdo a una nueva investigación, mientras más se reducen los circuitos de las memorias flash NAND, utilizadas para hacer unidades de almacenamiento de estado sólido (SSD – Solid-state drives), el rendimiento se degrada precipitadamente: la latencia aumenta, y comienza a haber más errores de datos. Esto significa que la tecnología podría estar acabada.

“Esto vuelve borroso el futuro de la tecnología SSD: Mientras que la capacidad de los SSD y una alta velocidad los vuelve atractivos para muchas aplicaciones, la reducción en rendimiento necesaria para incrementar la capacidad mientras mantiene bajos los costos podría hacer que los SSDs escalen a una tecnología viable para algunas aplicaciones”, dijo Laura Grupp, una estudiante graduada de la Universidad de California, en San Diego, autora principal de la revista académica.

En el estudio fueron probadas 45 diferentes memorias flash NAND de 6 vendedores, desde los 72 nanómetros hasta los 25 nanómetros actuales. Extrapolando sus resultados hasta el año 2024, cuando se espera que las memorias lleguen a ser de 6.5 nanómetros, la latencia se duplicará, y los errores se triplicarán. “Podremos tener capacidad, o velocidad”, dijo Grupp. Para ese entonces, las memorias flash NAND podrían llegar a los 16 TB de capacidad.

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http://www.computerworld.com/ (en inglés)

Memorias magnéticas que guardan dos bits por celda de memoria

Memorias de acceso aleatorio (RAM) basadas en una nueva tecnología de transferencia de giros alcanzan una mayor densidad de almacenamiento al almacenar múltiples bits de datos en cada celda de memoria.

Se ha visto un incremento en la demanda de memoria de estado sólido debido a la aparición de dispositivos portátiles como computadoras de tabla y teléfonos inteligentes. La STT-MRAM (Spin-transfer torque magnetoresistive random-access memory – Memoria de acceso aleatorio magnetoresistiva de transferencia de giro por torque) es un nuevo tipo de memoria de estado sólido que utiliza corrientes eléctricas para leer y escribir datos que son almacenados en momentos magnéticos de electrones. Rachid Sbiaa y compañeros de trabajo en el Instituto de Almacenamiento de Datos A*STAR han mejorado la densidad de almacenamiento de las STT-MRAM al empacar múltiples bits de información dentro de cada una de sus celdas de memoria.

Esencialmente, STT-MRAM lee y escribe información pasando corrientes a través de múltiples filmes delgados magnéticos. La información se escribe si el momento magnético de los electrones en la corriente, o su giro, está alineado en una dirección preferible. El torque de estos giros alineados en las capas magnéticas puede ser lo suficiente fuerte para cambiar la dirección magnética de las capas a la dirección ajustada por la corriente.

La lectura de información se realiza a través de la medición de la resistencia eléctrica del dispositivo, que depende de que las magnetizaciones de las capas magnéticas dura y blanda estén alineadas en paralelo o en dirección opuesta relativa una a la otra. La capa magnética dura está hecha de tal manera que su magnetismo no puede ser cambiado por corrientes eléctricas. Para agregar un segundo bit, los investigadores agregaros una segunda capa magnética suave. Estas dos capas son ligeramente diferentes, una más “dura” que la otra, y pueden por lo tanto cambiar independientemente al aplicar una corriente eléctrica. De esta manera se pueden tener cuatro estados posibles.

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http://www.research.a-star.edu.sg/ (en inglés)

La unidad de almacenamiento magnético más pequeña del mundo

Científicos de IBM y del Centro Alemán para la Ciencia del Láser de Electrones Libres (CFEL por sus siglas en inglés) han construido la unidad de almacenamiento magnético más pequeña del mundo. Solo utiliza 12 átomos por bit (la únidad básica de información) y puede guardar un byte (8 bits) en tan solo 96 átomos. En comparación, un disco duro moderno necesita más de 500 millones de átomos por byte.

La unidad de almacenamiento nanométrica fue construida átomo por átomo con la ayuda de un microscopio de efecto túnel (STM – Scanning tunneling microscope) en el Centro de Investigación Almaden de IBM en San José, California. Los investigadores construyeron patrones regulares de átomos de hierro, alineándolos en filas de seis átomos cada una. Dos filas son suficientes para guardar un bit. Un byte correspondientemente consiste de ocho pares de filas de átomos. Utiliza solo un área de 4×16 nanómetros. “Esto corresponde a una densidad de almacenamiento que es cien veces más alta comparada a un disco duro moderno,” explico Sebastian Loth de CFEL, autor lider de la revista académica “Ciencia”.

Los investigadores emplearon por primera vez una forma especial de magnetismo para propósitos de almacenamiento de datos, llamada antiferromagnetismo. A diferencia del ferromagnetismo utilizado en los discos duros convencionales, el giro de los átomos vecinos con material antiferromagnético están alineados de forma opuesta, lo que vuelve al material neutro magnéticamente en conjunto. Gracias a esto, las filas antiferromagnéticas pueden tener una separación de tan solo un nanómetro sin interferir magnéticamente una con otra.

Más información:
http://www.desy.de/ (en inglés)

Toshiba lanza la primera tarjeta de memoria con WLAN integrada

Toshiba anunció el lanzamiento de la primera tarjeta de memoria SDHC con funcionalidad WLAN integrada.

Esta nueva tarjeta llamada “FlashAir™”, tiene una capacidad de 8GB y soporta tanto transferencias P2P como subir y bajar archivos desde servidores. Habrá ejemplares disponibles desde Noviembre de este año y su venta comenzará en Febrero de 2012.

La funcionalidad de comunicación inalámbrica de las FlashAir permitirá a los usuarios subir y descargar fotografías, así como intercambiar datos con otros dispositivos, como cámaras digitales compatibles con FlashAir, smartphones y computadoras que soporten WLAN.

Esto será bien recibido por usuarios que buscan una manera fácil y rápida de compartir fotos con amigos y utilicen servicios de almacenamiento en línea y redes sociales.

Más información:
http://www.toshiba.co.jp/ (en inglés)