Científicos crean almacenamiento RAM basado en luz

o-RAM
o-RAM

Los laboratorios NTT tuvieron éxito al construir un prototipo de lo que la compañía llama memoria óptica de acceso aleatorio, u o-RAM. El objetivo es eliminar un cuello de botella entre la fibra óptica y los circuitos electrónicos y crear una versión de la arquitectura DRAM que funcione a la velocidad de la luz para crear aplicaciones en centros de datos de alta velocidad.

Cuando se trata de transmitir datos a altas velocidades entre centros de datos, hacerlo por medio de fibra óptica es indiscutiblemente la mejor opción. Sin embargo, para rutear los datos de terminal en terminal, la información recibida por medio de la fibra óptica debe de convertirse en una señal electrónica, para entonces ser procesada por dispositivos electrónicos mucho más lentos (procesadores, memoria RAM), y una vez que la señal es procesada, ésta vuelve a convertirse en luz y se envía por medio de fibra óptica a la siguiente terminal. Esto es lo que genera el cuello de botella, el convertir y reconvertir los datos de luz a información electrónica y viceversa.

Los investigadores han estado trabajando en crear un dispositivo que pueda procesar la luz sin necesidad de convertirla a una señal electrónica, pero para que esto sea posible se requiere crear los diferentes componentes de una computadora, tanto transistores, como la memoria de acceso aleatorio (RAM). Este avance es por consecuencia significativo y podría en un futuro llevar a una menor latencia (tiempo en el que una señal llega del dispositivo de origen al dispositivo de destino) en las conexiones a Internet.

De acuerdo a la revista académica publicada en Nature Photonics, el prototipo puede almacenar hasta 4 bits y transferir datos a 40 Gbps, con un consumo de energía sumamente bajo (30 nW). Los investigadores estiman que una memoria o-RAM de 100kb para todos los ruteadores ópticos podría ser construida para el 2020. Una memoria de 1 Mb podría estar disponible para el 2025.

Más información
http://www.tomshardware.com/ (en inglés)

Memorias magnéticas que guardan dos bits por celda de memoria

STT-MRAM Multinivel
STT-MRAM Multinivel

Memorias de acceso aleatorio (RAM) basadas en una nueva tecnología de transferencia de giros alcanzan una mayor densidad de almacenamiento al almacenar múltiples bits de datos en cada celda de memoria.

Se ha visto un incremento en la demanda de memoria de estado sólido debido a la aparición de dispositivos portátiles como computadoras de tabla y teléfonos inteligentes. La STT-MRAM (Spin-transfer torque magnetoresistive random-access memory – Memoria de acceso aleatorio magnetoresistiva de transferencia de giro por torque) es un nuevo tipo de memoria de estado sólido que utiliza corrientes eléctricas para leer y escribir datos que son almacenados en momentos magnéticos de electrones. Rachid Sbiaa y compañeros de trabajo en el Instituto de Almacenamiento de Datos A*STAR han mejorado la densidad de almacenamiento de las STT-MRAM al empacar múltiples bits de información dentro de cada una de sus celdas de memoria.

Esencialmente, STT-MRAM lee y escribe información pasando corrientes a través de múltiples filmes delgados magnéticos. La información se escribe si el momento magnético de los electrones en la corriente, o su giro, está alineado en una dirección preferible. El torque de estos giros alineados en las capas magnéticas puede ser lo suficiente fuerte para cambiar la dirección magnética de las capas a la dirección ajustada por la corriente.

La lectura de información se realiza a través de la medición de la resistencia eléctrica del dispositivo, que depende de que las magnetizaciones de las capas magnéticas dura y blanda estén alineadas en paralelo o en dirección opuesta relativa una a la otra. La capa magnética dura está hecha de tal manera que su magnetismo no puede ser cambiado por corrientes eléctricas. Para agregar un segundo bit, los investigadores agregaros una segunda capa magnética suave. Estas dos capas son ligeramente diferentes, una más “dura” que la otra, y pueden por lo tanto cambiar independientemente al aplicar una corriente eléctrica. De esta manera se pueden tener cuatro estados posibles.

Más información
http://www.research.a-star.edu.sg/ (en inglés)

Caerá el precio de la memoria RAM según analistas

Tarjetas de memoria RAM
Memoria RAM
De acuerdo a analistas de la firma IHS iSuppli, el precio de la memoria RAM, usada en computadoras portátiles, de escritorio y en servidores, caerá debido a que las compañías productoras de este componente tratarán de deshacerse de el exceso en sus inventarios ante una economía que se ha alentado.

Estamos saliendo de un ciclo en que la demanda de la memoria había aumentado, lo que había llevado a los productores a aumentar su capacidad de producción. Pero desde la segunda mitad del año pasado la demanda de computadoras ha bajado y quienes arman computadoras no han querido aumentar la memoria en las mismas con el propósito de mantener sus precios bajos. Si las compañías productoras mueven su exceso al mercado de manera rápida, esto llevaría a una caída de los precios.

Fuentes:
http://www.isuppli.com/ (en inglés)
www.macworld.com (en inglés)