Memorias de acceso aleatorio (RAM) basadas en una nueva tecnología de transferencia de giros alcanzan una mayor densidad de almacenamiento al almacenar múltiples bits de datos en cada celda de memoria.
Se ha visto un incremento en la demanda de memoria de estado sólido debido a la aparición de dispositivos portátiles como computadoras de tabla y teléfonos inteligentes. La STT-MRAM (Spin-transfer torque magnetoresistive random-access memory – Memoria de acceso aleatorio magnetoresistiva de transferencia de giro por torque) es un nuevo tipo de memoria de estado sólido que utiliza corrientes eléctricas para leer y escribir datos que son almacenados en momentos magnéticos de electrones. Rachid Sbiaa y compañeros de trabajo en el Instituto de Almacenamiento de Datos A*STAR han mejorado la densidad de almacenamiento de las STT-MRAM al empacar múltiples bits de información dentro de cada una de sus celdas de memoria.
Esencialmente, STT-MRAM lee y escribe información pasando corrientes a través de múltiples filmes delgados magnéticos. La información se escribe si el momento magnético de los electrones en la corriente, o su giro, está alineado en una dirección preferible. El torque de estos giros alineados en las capas magnéticas puede ser lo suficiente fuerte para cambiar la dirección magnética de las capas a la dirección ajustada por la corriente.
La lectura de información se realiza a través de la medición de la resistencia eléctrica del dispositivo, que depende de que las magnetizaciones de las capas magnéticas dura y blanda estén alineadas en paralelo o en dirección opuesta relativa una a la otra. La capa magnética dura está hecha de tal manera que su magnetismo no puede ser cambiado por corrientes eléctricas. Para agregar un segundo bit, los investigadores agregaros una segunda capa magnética suave. Estas dos capas son ligeramente diferentes, una más “dura” que la otra, y pueden por lo tanto cambiar independientemente al aplicar una corriente eléctrica. De esta manera se pueden tener cuatro estados posibles.
Más información
http://www.research.a-star.edu.sg/ (en inglés)